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J-GLOBAL ID：201502207605152256   整理番号：15A1218893

光電気化学的活性Cu₂ZnSnS₄(CZTS)薄膜の合成のための確実に改善したSILAR配列

A Promising Modified SILAR Sequence for the Synthesis of Photoelectrochemically Active Cu₂ZnSnS₄ (CZTS) Thin Films

著者 (10件)： SURYAWANSHI M. P. ,  SHIN S. W. (Center for Nanomaterials and Chemical Reactions, Inst. for Basic Sci., Daejeon 305-701 (Republic of Korea)) ,  AGAWANE G. L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Optoelectronics Convergence Res. Center, Chonnam National Univ., 300 ...) ,  GURAV K. V. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Optoelectronics Convergence Res. Center, Chonnam National Univ., 300 ...) ,  GHORPADE U. V. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Optoelectronics Convergence Res. Center, Chonnam National Univ., 300 ...) ,  HONG C. W. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Optoelectronics Convergence Res. Center, Chonnam National Univ., 300 ...) ,  GAIKWAD M. A. (Thin Film Nanomaterials Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416-004, Maharashtra (India)) ,  PATIL P. S. (Thin Film Nanomaterials Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416-004, Maharashtra (India)) ,  KIM Jin Hyeok (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Optoelectronics Convergence Res. Center, Chonnam National Univ., 300 ...) ,  MOHOLKAR A. V. (Thin Film Nanomaterials Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416-004, Maharashtra (India). ...)
資料名： Israel Journal of Chemistry  (Israel Journal of Chemistry)
巻： 55  号： 10  ページ： 1098-1102  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： B0141B  ISSN： 0021-2148  CODEN： ISJCA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SILAR配列技術を用いて光電気化学的活性Cu₂ZnSnS₄(CZTS)薄膜を合成した。このCZTS薄膜への硫化処理温度の影響を検討するために,H₂S(5%)+Ar(95%)雰囲気中で1hかけて520,540,560,および580°C温度でCZTS前駆体薄膜をアニーリングした。これらの膜の構造,モフォロジー,そして光学的性質についてX-線回折,Raman分光法,電界放出走査電子顕微鏡法,およびUV-可視域分光光度計技術により特性評価した。580°Cの最適温度で硫化処理した膜が高密度微細構造と1.38eVの光学バンドギャップエネルギーをもつ卓越したCZTS相を形成するとわかった。580Cで硫化処理した最適化CZTS薄膜を用いてつくった光電気化学(PEC)デバイスは,0.38Vの開放電圧(V_oc)と6.49mAcm^-2の短絡電流密度(I_sc),そして0.96%の電力変換効率を示した。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： スズ化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *化合物半導体 ,  銅化合物 ,  硫化物 ,  *太陽電池 ,  活性化 ,  *光電気化学反応 ,  光電気化学電池 ,  *薄膜成長 ,  吸着 ,  浸漬 ,  Raman分光分析 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  ナノ構造 ,  *スペクトロスコピー
準シソーラス用語： CZTS ,  FE-SEM ,  SILAR法 ,  光活性化

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電気化学 ,  活性 ,  Cu2ZnSnS4 ,  CZTS ,  薄膜