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J-GLOBAL ID：201502207636243128   整理番号：15A1215784

増強されたp型井戸と二重エピタクシーを用いた寄生バイポーラ効果を抑制することにより高信頼性RF-LDMOSの設計【Powered by NICT】

Design of high reliability RF-LDMOS by suppressing the parasitic bipolar effect using enhanced p-well and double epitaxy

著者 (9件)： Xu Xiangming (School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai) ,  Huang Jingfeng (HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai) ,  Yu Han (HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai) ,  Qian Wensheng (HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai) ,  Zhou Zhengliang (HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai) ,  Han Bo (HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corp., Shanghai) ,  Wang Yong (School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai) ,  Wang Pengfei (School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai) ,  Zhang David Wei (School of Microelectronics, Fudan Univ. State Key Lab. of ASIC and System, Shanghai)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 6  ページ： 064013-01-064013-06  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強化されたp型井戸と二重pエピタキシャル構造を持つ横方向拡散金属-酸化物-半導体(LDMOS)デバイス設計が,デバイス耐久性改善を検討し,高周波数でその高いデバイス性能を保持した。デバイス設計に基づいて,GSM(移動通信に対するグローバルシステム)応用のためのラジオ周波数(RF)LDMOSトランジスタは0.35μm CMOS技術を用いて作製した。実験データは提案したデバイスは,70V,出力180Wの破壊電圧を達成することを示した。RF線形利得は20dB以上であり,電力付加効率(PAE)は920MHzの周波数で70%以上であった。特に,ドレインDC電源電圧32V,10dB利得圧縮点(P(10dB))での出力電力でバイアスした20:1電圧定在波比(VS WR)負荷ミスマッチを通過することができた。デバイス凹凸を提案したデバイス構造を用いることにより著しく改善した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 素子構造 ,  電力付加効率 ,  *井戸 ,  ドレイン【半導体】 ,  VSWR ,  *エピタクシー ,  直流電源 ,  周波数 ,  不整合 ,  利得 ,  電圧 ,  CMOS
準シソーラス用語： 出力電力 ,  絶縁破壊電圧 ,  *LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 増強 ,  井戸 ,  エピタクシー ,  寄生 ,  バイポーラ ,  高信頼性 ,  RF ,  LDMOS ,  設計