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J-GLOBAL ID：201502207703607563   整理番号：15A1176209

標準CMOSプロセスで作製したSi LEDのルミネセンス特性へのくさび形花弁状形態の影響【Powered by NICT】

Effect of Wedged Petaloid Configuration on Luminescence Characteristics of Si-LED Fabricated in Standard CMOS Process

著者 (7件)： Cui Meng (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Xie Sheng (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Mao Luhong (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Guo Weilian (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Zhang Shilin (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Wu Lei (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin) ,  Xie Rong (School of Electronic and Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 36  号： 5  ページ： 552-556  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 標準CMOS技術のp~+ソース/ドレイン領域とn井戸に基づいて,異なる花弁状立体配置を持つ二forwardinjection型SiLEDはUMC0 18μm1P6M CMOSプロセスにより設計し,作製した。測定結果は両SiLEDの発光スペクトルはピーク波長約1 130nmの近赤外領域に位置し,素子は2V以下で良好に動作することを示した。八花弁立体配置を有するデバイスTS2は200mAでの順方向バイアスすると,その光出力は飽和せずに1 200nWに増加し,最大電力変換効率は40mAの電流,四花弁を持つ素子TS1のほぼ2倍でで5まで8×10~(-6)に達した。低動作電圧と高い変換効率の特徴に起因して,デバイスのTS2は将来のオプトエレクトロニクス応用のための非常に魅力的である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドレイン【半導体】 ,  電圧 ,  発光スペクトル ,  波長 ,  *立体配置 ,  ルミネセンス ,  オプトエレクトロニクス ,  電流 ,  バイアス ,  *CMOS
準シソーラス用語： 変換効率 ,  電力変換効率 ,  CMOS技術 ,  *CMOSプロセス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 標準 ,  CMOSプロセス ,  作製 ,  Si ,  LED ,  ルミネセンス ,  くさび形 ,  形態