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J-GLOBAL ID：201502207727094583   整理番号：15A0990327

低コストパッケージのための1 310nm FP半導体レーザチップ【Powered by NICT】

1 310 nm FP Semiconductor Laser Chip Suitable for the Low Cost Package

著者 (6件)： Zhang Shizu (The 13th Res. Inst.,CETC, Shijiazhuang) ,  Yuan Chunsheng (The 13th Res. Inst.,CETC, Shijiazhuang) ,  Che Xianghui (The 13th Res. Inst.,CETC, Shijiazhuang) ,  Zhou Xingchan (The 13th Res. Inst.,CETC, Shijiazhuang) ,  Zhang Kunwei (The 13th Res. Inst.,CETC, Shijiazhuang) ,  Zhang Xiaoguang (The 13th Res. Inst.,CETC, Shijiazhuang)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 40  号： 1  ページ： 39-43  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： イーサネット受動光ネットワーク(EPON)の技術が広く適用されているが,EPONは,高い光出力を持つ素子を必要とする。狭い発散角チップと組み合わせた眼球レンズの実装技術は徐々に主要技術になってきた。モード展開構造は,活性領域はAlGaInAs材料系に基づくリッジ導波路が1 310nm Fabry-Perot(FP)半導体レーザに添加した。良好な温度特性,高効率及び狭い遠視野発散角をもつレーザチップを作製した。レーザしきい値は約10mAであり,これはモード展開構造を持たないものと対応した。効率試験値は0 6mW/mAに達した。高速軸と遠方場角の遅い軸が23°と13°であった。85°Cの条件下で,レーザしきい値は20mAであり,効率は0 55mW/mAである。チップは低コストトランジスタのアウトライン(TO)パッケージ技術を用いて作製したEPON標準を満たすことができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  遠視野 ,  *半導体レーザ ,  遠方場 ,  リッジ導波管 ,  眼球 ,  *レーザ ,  *半導体チップ ,  トランジスタ ,  レンズ ,  *梱包
準シソーラス用語： 高効率 ,  温度特性 ,  実装技術 ,  *ローコスト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  システム設計・解析  (IA02030D) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： パッケージ ,  FP ,  半導体レーザ