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J-GLOBAL ID:201502209994163830   整理番号:15A1381375

超低消費電力フオトニックノード回路のためのシリコンフオトニクスデバイスの基礎研究

著者 (8件):
資料名:
巻: 19  ページ: 26-30  発行年: 2015年 
JST資料番号: L3303B  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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本研究では,強誘電性液晶(FLC)装荷シリコングレーティング導波路をMach-Zehnder干渉計に組み込んだ構造で,高密度集積化された波長選択スイッチを提案した。これは,超低消費電力で動作するフォトニックノード回路の開発に不可欠な基礎技術であり,本稿では,実用化を目指したCMOSプロセスの検討も実施した。
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分類 (2件):
分類
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その他の光伝送素子  ,  集積回路一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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