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J-GLOBAL ID:201502210311995612   整理番号:15A0161640

ヒドロキシル化とシラン処理SiO2表面上のぬれ挙動の分子シミュレーション【Powered by NICT】

Molecular simulation of wetting behavior on hydroxylation and silanization SiO2 surface
著者 (6件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 172-177  発行年: 2014年 
JST資料番号: W0621A  ISSN: 1673-5005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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シリカ表面の水の微視的な濡れ挙動を,分子動力学シミュレーション,アルキル鎖長の異なるヒドロキシル化表面とシラン化表面を考慮したにより調べた。また濡れ機構は相互作用エネルギー,動径分布関数および拡散係数を用いて解析した。ヒドロキシル化表面は強い親水性を有していることが観察された。しかし,シラン処理表面は疎水性を示し,疎水性は,延長されたアルキル鎖をもつ増強された。また結果は水クラスタはヒドロキシル化シリカ表面,これは表面に向かってクラスタ移動の底部における水分子を優先的にと強い相互作用を持つことを示した。このようにして,事前吸着水分子が残りの水分子の吸着を促進するであろう。水クラスタはヒドロキシル化シリカ表面上の完全に普及し,強い疎水性を示した。これに反して,水クラスターとシラン化SiO_2表面間の相互作用が主にvan der Waalsポテンシャル,水クラスタの間の水素結合相互作用を克服できず,強い疎水性を示すから生じている。アルキル鎖長の増加に伴い,水クラスタとシラン化表面との間のvan der Waalsポテンシャルが弱くなり,疎水性は改善された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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固-液界面  ,  坑井掘さく 

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