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J-GLOBAL ID：201502218039876065   整理番号：15A1044708

加熱・加圧処理によるシリコン表面の突起構造の形成

著者 (2件)： 西村高志 (鈴鹿工高専) ,  富取正彦 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13P-4E-6  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *表面構造 ,  応力 ,  突起部 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  局所応力

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 加圧処理 ,  シリコン ,  突起