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J-GLOBAL ID：201502220106760780   整理番号：15A0744597

低融点ガラスをインサート材としたガラス基板のレーザ接合技術の開発

Laser Joining of Glass Substrates using Low Melting Point Insert Glass

著者 (5件)： 松坂壮太 (千葉大学大学院) ,  三原圭貴 (千葉大学大学院) ,  千葉明 (千葉大学大学院) ,  比田井洋史 (千葉大学大学院) ,  森田昇 (千葉大学大学院)
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 81  号： 4  ページ： 349-355 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機ELディスプレイなど,ガラス基板上に形成される素子は,性能維持のために気密封止作業が必要である。本研究では,最近開発されたバナジウム系低融点ガラスを用いてガラス基材同士のレーザ接合を検討した。バナジウム系は光吸収特性により非接合材のガラス基板越しでも局所的な加熱・接合が可能であるが,実装密度向上のためには溶融時の溶け拡がりの抑制する接合条件の最適化等が必要になる。本稿では,可視光半導体レーザを用いたレーザ照射条件の最適化について検討を行った。レーザの出力,走査速度やビームプロファイルが品質や強度に与える影響を,内部に生成される気泡の発生メカニズムを解明し,欠陥を抑えるための温度分布測定の精度を考察した。有限差分法を用いた解析により,ビーム形状による加熱・冷却への影響についても調査した。

シソーラス用語： ガラス ,  基板 ,  電気装置部品 ,  レーザ溶接 ,  ELディスプレイ ,  ハーメチックシール ,  バナジウム ,  吸収係数 ,  *光照射 ,  差分法
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  *レーザ接合 ,  可視光照射 ,  気密封止 ,  光吸収係数 ,  *低融点ガラス ,  有機ELディスプレイ ,  有限差分法

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  特殊加工  (QC04000Y)

引用文献 (11件)：

• 1) 濱田正樹:量産対応有機EL 製造技術,精密工学会誌,69 (2003) 924.
• 2) D. Sparks, S. Massoud-Ansari, and N. Najafi : Long-term evaluation of hermetically glass frit sealed silicon to Pyrex wafers with feedthroughs, J. Mecromech. Microeng., 15 (2005) 1560.
• 3) R. Knechtel : Glass frit bonding : an universal technology for wafer level encapsulation and packaging, Microsyst. Technol. 12 (2005) 63.
• 4) M. D. Kempe, D. Panchagade, M. O. Reese, and A. A. Dameron : Modeling moisture ingress through polyisobutylene-based edge-seals, Prog. Photovolt : Res. Appl. (2014) doi: 10.1002/pip.2465.
• 5) G. E. Rachkovskaya, and G. B. Zakharevich : Properties, structure, and application of low-melting lead-bismuth glasses, Glass & Ceramics, 61 (2004) 9.

タイトルに関連する用語 (5件)： 低融点ガラス ,  インサート材 ,  ガラス基板 ,  レーザ接合 ,  開発