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J-GLOBAL ID：201502222684749724   整理番号：15A0507456

Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とリアルタイム/角度分解光電子分光によるグラフェン化機構評価

著者 (9件)： 長谷川美佳 (東北大 電気通信研(RIEC)) ,  須藤亮太 (東北大 電気通信研(RIEC)) ,  菅原健太 (東北大 電気通信研(RIEC)) ,  三本菅正太 (東北大 電気通信研(RIEC)) ,  原本直樹 (東北大 電気通信研(RIEC)) ,  寺岡有殿 (日本原子力研究開発機構(JAEA)) ,  吉越章隆 (日本原子力研究開発機構(JAEA)) ,  吹留博一 (東北大 電気通信研(RIEC)) ,  末光眞希 (東北大 電気通信研(RIEC))
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-D7-5  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ニッケル ,  *グラフェン ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  *X線光電子スペクトル ,  実時間処理 ,  内殻準位 ,  結晶成長 ,  *エピタクシー ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光法 ,  *低温成長 ,  *エピタキシャル成長 ,  Si基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si基板 ,  エピタキシャルグラフェン ,  Ni ,  援用 ,  低温形成 ,  リアルタイム ,  角度分解光電子分光 ,  グラフェン ,  評価