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J-GLOBAL ID：201502224914625143   整理番号：15A0226865

デバイス応用に向けた6H-SiC上グラフェンの高品質・多機能化

著者 (3件)： 宮本貴雄 (北大 量子集積セ) ,  小西敬太 (北大 量子集積セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積セ)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 50th-11th  ページ： 49  発行年： 2015年01月09日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *炭素材 ,  *半導体素子 ,  *結晶成長 ,  熱分解 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  化合物半導体 ,  *グラフェン ,  高品質 ,  *6H-炭化ケイ素
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  多機能

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  6H-SiC ,  グラフェン ,  高品質 ,  多機能