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J-GLOBAL ID：201502280914081914   整理番号：15A0505985

RF-MBE法によるGaAs(100)基板上へのユーロピウム添加立方晶GaN薄膜の作製

著者 (6件)： 小山裕生 (愛媛大 工) ,  弓達新治 (愛媛大 工) ,  田所眞尚 (愛媛大 工) ,  竹内一磨 (愛媛大 工) ,  宮田晃 (愛媛大 工) ,  白方祥 (愛媛大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.11P-A25-2  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ユウロピウム ,  *ドーピング ,  半導体薄膜 ,  *立方晶系 ,  *MBE成長 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *光ルミネセンス ,  赤色光 ,  結晶構造 ,  RF放電 ,  化合物半導体 ,  可視発光スペクトル

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF-MBE ,  GaAs ,  ユーロピウム ,  立方晶 ,  GaN ,  薄膜 ,  作製