特許
J-GLOBAL ID:201503006810383544

抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 渡辺 尚 ,  小野 由己男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-105646
公開番号(公開出願番号):特開2015-220445
出願日: 2014年05月21日
公開日(公表日): 2015年12月07日
要約:
【課題】強誘電体を用いた抵抗変化型メモリにおいて、より簡単な構造にて強誘電性に起因した電気特性を発現させ、抵抗変化型メモリをより安定に動作させる。【解決手段】抵抗変化型メモリ100は、強誘電体層1と、第1電極層3と、第2電極層5と、を備える。強誘電体層1は、BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成される。第1電極層3は、強誘電体層1の第1主面P1上に、強誘電体層1の分極により変化する第1エネルギー障壁E1、E1’、E1’’を有するように形成される。第2電極層5は、強誘電体層1の第2主面P2上に、強誘電体層1の分極により変化する第2エネルギー障壁E2、E2’、E2’’を有するように形成される。【選択図】図6A
請求項(抜粋):
BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成された強誘電体層と、 前記強誘電体層中における分極により変化する第1エネルギー障壁を有するように、前記強誘電体層の第1主面上に形成された第1電極層と、 前記強誘電体層中における分極により変化する第2エネルギー障壁を有するように、前記第1主面とは反対側の前記強誘電体層の主面である第2主面上に形成された第2電極層と、 を備える抵抗変化型メモリ。
IPC (4件):
H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 21/824
FI (4件):
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/10 444Z
Fターム (10件):
5F083FR00 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083PR25
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 容量素子及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2009-269775   出願人:パナソニック株式会社
  • 強誘電体材料及び圧電体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-074105   出願人:国立大学法人金沢大学
  • スイッチング素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-318432   出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
審査官引用 (3件)
  • 容量素子及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2009-269775   出願人:パナソニック株式会社
  • 強誘電体材料及び圧電体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-074105   出願人:国立大学法人金沢大学
  • スイッチング素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-318432   出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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