特許
J-GLOBAL ID:201503008715192491
ウェットエッチング用基板及び金属パターンを有する基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
酒井 一
, 蔵合 正博
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-266853
公開番号(公開出願番号):特開2011-111636
特許番号:特許第5774814号
出願日: 2009年11月24日
公開日(公表日): 2011年06月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板層、金属酸化物表面を有する金属層、式(I)に示す感紫外線化合物層、および熱可塑性高分子層をこの順で有するウェットエッチング用の基板に、検出波長254nmにおける、照射エネルギー0.1〜5J/cm2の紫外線照射を施して、前記金属層と前記熱可塑性高分子層を接着させた、
前記熱可塑性高分子層の熱可塑性高分子が、ポリスチレンおよびポリビニルトルエンから選ばれる少なくとも1種以上の熱可塑性高分子であるウェットエッチング用基板。
(式中、R1〜R3は水素原子、炭素数1〜6の炭化水素基、酸素原子または窒素原子で連結された炭素数1〜6の炭化水素基を示す。XはO、OCO、COO、NH、NHCOを示し、mは1〜20の整数を示す。R4は炭素数1〜3の炭化水素基を示し、Yは炭素数1〜3のアルコキシ基またはハロゲン原子を表し、nは1〜3の整数を表す。)
IPC (8件):
C23F 1/00 ( 200 6.01)
, B32B 9/00 ( 200 6.01)
, B32B 15/04 ( 200 6.01)
, C25D 5/02 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H05K 3/06 ( 200 6.01)
FI (9件):
C23F 1/00 102
, B32B 9/00 Z
, B32B 15/04 Z
, C25D 5/02 E
, G03F 7/20 501
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/306 F
, H05K 3/06 E
, H05K 3/06 H
引用特許: