特許
J-GLOBAL ID：201503010479882770
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-094590
公開番号（公開出願番号）：特開2014-140077
特許番号：特許第5754531号
出願日： 2014年05月01日
公開日（公表日）： 2014年07月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反転可能な磁化を有する磁化自由層を形成する工程と、
前記磁化自由層の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、磁化がほぼ一方向に固定された磁化固定層を形成する工程と
を具備し、
前記磁化自由層を形成する工程は、
NiFeBから成る第2磁化自由層を形成する工程と、
前記第2磁化自由層の上に、Fe又はCoから成る第1磁化自由層を形成する工程と
を備え、
前記絶縁層は、前記第1磁化自由層の上に形成され、
前記第1磁化自由層の膜厚が0.2nm以上1.0nm以下である
磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
H01L 27/10 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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