特許

J-GLOBAL ID：201503018070718219

窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法

発明者： 山口 裕太郎 ,  大石 敏之 ,  大塚 浩志 ,  山中 宏治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 田澤 英昭 ,  濱田 初音 ,  久米 輝代 ,  河村 秀央
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-102563
公開番号（公開出願番号）：特開2015-220319
出願日： 2014年05月16日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：

【課題】ドレイン-ソース間容量Cdsを含む電極間容量の増大を抑えることができる窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極8におけるソース電極6側とドレイン電極7側の両方の側面に絶縁膜層9を介して形成され、断面L字状で浮遊状態のL型メタル10を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電子が走行するチャネル層と、前記チャネル層の上部に設けられ、In、Al、Gaの少なくとも一つおよびNを含んで構成されて、前記チャネル層内に2次元電子ガスを形成するバリア層とを備える高電子移動度トランジスタ構造を有したトランジスタにおいて、 ゲート電極のソース電極側またはドレイン電極側の側面もしくは両方の側面に絶縁膜を介して形成され、断面L字状で浮遊状態のメタルを備えたことを特徴とする窒化物半導体を用いたトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F

Fターム (18件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08