特許

J-GLOBAL ID：201503051823622771

高周波増幅器

発明者： 小坂 尚希 ,  坂田 修一 ,  小松崎 優治 ,  今井 翔平 ,  山口 裕太郎 ,  桑田 英悟 ,  大塚 浩志 ,  内田 浩光 ,  大石 敏之 ,  山中 宏治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 田澤 英昭 ,  濱田 初音 ,  久米 輝代 ,  河村 秀央
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-242081
公開番号（公開出願番号）：特開2015-103913
出願日： 2013年11月22日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
要約：

【課題】整合回路とトランジスタの間にある容量成分を小さくして、トランジスタの電気特性の変化を防止することができる高周波増幅器を得ることを目的とする。【解決手段】多層絶縁層膜3における複数の絶縁層膜4,5,6の中で、トランジスタと整合回路10の間にある絶縁層膜5に、トランジスタのソース電極7と接続されている配線11が形成され、その配線11がトランジスタのゲート電極8及びドレイン電極9の上部を覆っているように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の絶縁層膜が積層されている多層絶縁層膜と、 前記多層絶縁層膜を構成している絶縁層膜に、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極が形成されているトランジスタと、 前記多層絶縁層膜における複数の絶縁層膜の中で、前記トランジスタが形成されている絶縁層膜より上部にある絶縁層膜に形成され、前記トランジスタのゲート電極又はドレイン電極と接続されている整合回路とを備え、 前記多層絶縁層膜における複数の絶縁層膜の中で、前記トランジスタと前記整合回路の間にある絶縁層膜に、前記トランジスタのソース電極と接続されている配線が形成され、前記配線が前記トランジスタのゲート電極及びドレイン電極の上部を覆っていることを特徴とする高周波増幅器。

IPC (3件)：

H03F 3/193 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H03F3/193 ,  H01L27/04 D ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 C

Fターム (21件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH01 ,  5F038BH03 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5J500AA01 ,  5J500AA04 ,  5J500AC18 ,  5J500AF16 ,  5J500AH09 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK29 ,  5J500AK66 ,  5J500AQ02