特許
J-GLOBAL ID:201503067517330078
薄膜半導体装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
新居 広守
, 寺谷 英作
, 道坂 伸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-205683
公開番号(公開出願番号):特開2015-070223
出願日: 2013年09月30日
公開日(公表日): 2015年04月13日
要約:
【課題】より安定な特性を持つ薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】薄膜半導体装置100は、基板110と、基板110の上方に形成されたゲート電極120と、ゲート電極120に対向するように基板110の上方に形成された酸化物半導体層140と、酸化物半導体層140上に形成されたチャネル保護層150と、酸化物半導体層140に接続されたソース電極160s及びドレイン電極160dとを備え、酸化物半導体層140の酸素欠陥の状態密度DOS[eV-1cm-3]は、酸化物半導体層140の伝導帯端のエネルギー準位をEc[eV]とし、酸化物半導体層140の所定のエネルギー準位をE[eV]としたとき、2.0eV≦Ec-E≦2.7eVにおいて、DOS[eV-1cm-3]≦1.710×1017×(Ec-E)2-6.468×1017×(Ec-E)+6.113×1017を満たす。【選択図】図6
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板の上方に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極に対向するように前記基板の上方に形成された酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された第1絶縁層と、
前記酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極とを備え、
前記酸化物半導体層の酸素欠陥の状態密度DOS[eV-1cm-3]は、
前記酸化物半導体層の伝導帯端のエネルギー準位をEc[eV]とし、前記酸化物半導体層の所定のエネルギー準位をE[eV]としたとき、
2.0eV≦Ec-E≦2.7eVにおいて、DOS≦1.710×1017×(Ec-E)2-6.468×1017×(Ec-E)+6.113×1017
を満たす
薄膜半導体装置。
IPC (3件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 51/50
FI (4件):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 618A
, H05B33/14 A
Fターム (55件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC11
, 3K107CC45
, 3K107EE04
, 5F110AA14
, 5F110BB02
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG15
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK22
, 5F110HK42
, 5F110HL01
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL11
, 5F110HL12
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN05
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN72
引用特許:
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