文献

J-GLOBAL ID：201602201914495809   整理番号：16A0232238

塗布プロセスにより作製した高性能トップゲート型有機薄膜トランジスタ

High performance top-gate organic transistors fabricated by solution process

著者 (7件)： 高木謙一郎 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  永瀬隆 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  小林隆史 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  内藤裕義 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  永瀬隆 (大阪府大 分子エレクトロニックデバイス研) ,  小林隆史 (大阪府大 分子エレクトロニックデバイス研) ,  内藤裕義 (大阪府大 分子エレクトロニックデバイス研)
資料名： 電気材料技術雑誌  (Journal of the Society of Electrical Materials Engineering)
巻： 24  号： 1  ページ： 16-23  発行年： 2015年12月10日 
JST資料番号： L1621A  ISSN： 0918-9890  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文は,トップゲート型有機FETの高移動度の起源を探り,ボトムゲート構造ではなくトップゲート構造を用いる事が本質的に高性能化に有効である事を実証するのを目的とした。具体的には,有機高分子半導体であるP3ATを用いたトップゲートFETを評価した所,移動度は高い値を示した。これにより,P3AT薄膜表面ではFETの電荷輸送に有利なエッジオン・ラメラ構造が自発的に形成された。また,FETの長時間安定性の評価ではきわめて高い安定性を示した。可溶性低分子半導体やアルモファス高分子半導体でも高移動度且つゲートバイアスストレスに対して高い安定性を得た。また,他の半導体においても,ボトムゲートFETに比しトップゲートFETの方が高い安定性を示した。

シソーラス用語： *塗布 ,  *工程 ,  *素子構造 ,  *薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  ポリアルキルチオフェン ,  高分子半導体 ,  層状組織 ,  安定性
準シソーラス用語： *トップゲート型 ,  高移動度 ,  *高性能 ,  電荷輸送 ,  有機FET ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 062111.
• H. Minemawari, T. Yamada, H. Matsui, J. Tsutsumi, S. Haas, R. Chiba, R. Kumai, and T. Hasegawa, Nature 475 (2011) 364.
• Y. Yuan, G. Giri, A. L. Ayzner, A. P. Zoombelt, S. C. B. Mannsfeld, J. Chen, D. Nordlund, M. F. Toney, J. Huang, and Z. Bao, Nat. Commun. 5 (2014) 3005.
• H. Sirringhaus, Adv. Mater. 21 (2009) 3859.
• T. Endo, T. Nagase, T. Kobayashi, K. Takimiya, M. Ikeda, and H. Naito, Appl. Phys. Express 3 (2010) 121601.

タイトルに関連する用語 (5件)： 塗布プロセス ,  作製 ,  高性能 ,  トップゲート型 ,  有機薄膜トランジスタ