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文献
J-GLOBAL ID:201602205919058712   整理番号:16A0281906

Si(111)基板上GaAs/GaAsBiマルチコア-シェルナノワイヤの特性

著者 (7件):
資料名:
巻: 63rd  ページ: ROMBUNNO.20P-P7-1  発行年: 2016年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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結晶成長技術・装置  ,  半導体の結晶成長  ,  半導体のルミネセンス 

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