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J-GLOBAL ID：201602211166173220   整理番号：16A0131011

コールドウォール型CVD装置を用いたリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製

Preparation of Lithium Doped Zinc Oxide Thin Film via Cold Wall Chemical Vapor Deposition Reactor

著者 (5件)： 黒田晋吾 (東海大 大学院工学研究科) ,  大久保達生 (東海大 大学院工学研究科) ,  淺香隆 (東海大 大学院工学研究科) ,  樋口昌史 (東海大 大学院工学研究科) ,  秋山泰伸 (東海大 大学院工学研究科)
資料名： Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan  (Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan)
巻： 23  号： 380  ページ： 34-38  発行年： 2016年01月01日 
JST資料番号： F0275A  ISSN： 1345-3769  CODEN： JSIJFR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強誘電体材料は残留分極特性をもつことから世代代不揮発性メモリとして研究されている。筆者らは,これまでに,ホットウォール型減圧熱CVD装置および常圧熱CVD装置を用いた実験を行い,酸化亜鉛(ZnO)およびLi酸化物の成膜に必要な温度や成膜速度,反応中間体などの知見を得た。本研究では,実用に適したコールドウォール型熱CVD装置を用い,単純酸化物およびLiをドープしたZnO薄膜を成膜し,成膜条件と析出結晶種の関係,高密度集積回路の応用を視野に入れたミクロな凹状の成膜形状(ステップカバレッジ)について報告した。コールドウォール型熱CVD装置を用いることで,ホットウォール型熱CVD装置を用いたときより423K低い523Kで,c軸配向したZnO結晶の析出が可能であった。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  不揮発性メモリ ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  リチウム ,  *化学蒸着 ,  反応温度 ,  堆積速度 ,  *微細構造 ,  相組成 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  被覆率 ,  結晶方位 ,  結晶度 ,  X線回折分析 ,  酸化リチウム ,  炭酸リチウム
準シソーラス用語： 酸化亜鉛薄膜 ,  CVD【化学蒸着】 ,  コールドウォールCVD ,  微細組織 ,  表面形態 ,  ステップカバレッジ ,  結晶配向

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (10件)：

• A. Onodera, H. Sato, Materials Integration, 12, 27-32 (1999) .
• K. Misawa, Y. Akiyama, T. Asaka, M. Higuchi, submitted J. Soc. Inorg. Mater. Japan.
• H. Hayakawa, Y. Akiyama, T. Asaka, M. Higuchi, submitted J. Soc. Inorg. Mater. Japan.
• Y. Akiyama, T. Sato, N. Imaishi, Journal of Crystal Growth, 147, 130-146 (1995) .
• Y. Akiyama, N. Imaishi, Y. S. Shin, S. C. Jung, Journal of Crystal Growth, 241, 352-362 (2002) .

タイトルに関連する用語 (6件)： ウォール ,  CVD装置 ,  リチウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛薄膜 ,  作製