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J-GLOBAL ID：201602213905866479   整理番号：16A0041987

超音速分子線を用いて酸化したSi(113)表面の電子状態解析

著者 (6件)： 田中一馬 (横浜国大 大学院) ,  大野真也 (横浜国大 大学院) ,  小玉開 (横浜国大 大学院) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  寺岡有殿 (原子力機構) ,  田中正俊 (横浜国大 大学院)
資料名： 表面科学学術講演会講演要旨集  (表面科学学術講演会要旨集)
巻： 35th  ページ： 195  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： L1366A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 超音速分子ビーム ,  酸化 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  表面 ,  *電子状態 ,  光電子分光分析
準シソーラス用語： 超音速分子線 ,  *表面電子状態

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超音速分子線 ,  酸化 ,  Si ,  電子状態 ,  解析