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J-GLOBAL ID：201602215310924526   整理番号：16A1000996

TGG法によるtextured 91BNT-6BT-3KNN鉛フリー圧電セラミックスの調製と電場誘起歪の増大

Preparation and enhanced electric-field-induced strain of textured 91BNT-6BT-3KNN lead-free piezoceramics by TGG method

著者 (9件)： Ma Sixiang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Zhang Yangyang (Information Engineering Institute, Huanghe Science and Technology College, Zhengzhou, People’s Republic of China) ,  Liu Zepeng (Mechanical Engineering, University College London, London, UK) ,  Dai Xueping (College of Materials Science and Engineering, State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Huang Jinqiang (College of Materials Science and Engineering, State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Fan Pengyuan (College of Materials Science and Engineering, State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Xie Bing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Jiang Shenglin (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Zhang Haibo (College of Materials Science and Engineering, State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 3  ページ： 3076-3081  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テンプレート粒子成長(TGG)法によって,<001>配向0.91Bi_1/2Na_1/2TiO₃-0.06BaTiO₃-0.03(Na,K)NbO₃(BNT-BT-KNN)鉛フリー圧電セラミックスを作製した。5重量%Bi_1/2Na_1/2TiO₃(BNT)テンプレート含有量において,高い粒子配向度(Lotgering因子のFは83%)が達成され,0.226%の最大歪値が観察された。この値は,ランダム配向試料よりも48.7%高かった。しかし,あまりにも多くのBNTテンプレートは,BNT-BT-KNNシステムの結晶相境界からの組成偏差及びゼロ電場での無極性相の破壊をもたらす。1-10重量%のテンプレートを添加した全てのtextured試料は,ゼロ電場での無極性相を破壊することなく,増加した歪と大信号圧電係数d^*₃₃を示した。textured試料の電場誘起歪の増大は,主に,相転移が容易になることに起因する。この相転移は,<001>方向に沿った長距離強誘電体秩序を形成する。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *圧電セラミック ,  *調製 ,  *歪 ,  チタン酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  ナトリウム化合物 ,  チタン酸バリウム ,  酸化物 ,  カリウム化合物 ,  ニオブ化合物 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  温度依存性 ,  誘電分極 ,  ヒステリシス ,  相境界 ,  相転移
準シソーラス用語： 結晶相境界

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鉛フリー圧電セラミックス ,  調製 ,  電場 ,  誘起 ,  歪