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J-GLOBAL ID：201602215947145431   整理番号：16A0793956

操作電流の相転移メモリユニットに対する疲労特性の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Operating Current on the Endurance Characteristics of Phase Change Memory Cells

著者 (10件)： Huo Ruru (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Cai Daolin (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Chen Yifeng (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Wang Yuchan (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Wang Yueqing (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Wei Hongyang (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Wang Qing (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Xia Yangyang (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Chen Bangming (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology) ,  Song Zhitang (Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 40  号： 12  ページ： 944-949  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 中芯国際40NMプロセスの調製に基づく64MBIT相変化メモリを設計し,2群の比較実験を行った。それぞれ異なる振幅とパルス幅のRESET電流パルスを用いてメモリユニットに対して疲労操作を行い,相転移メモリユニットの疲労性能とRESET操作電流の関係に対して研究を行った。実験の結果,メモリユニットの疲労寿命とRESETパルス振幅の二乗とは反比例の関係を呈し,とパルス幅は反比例の関係を呈した。相転移メモリの操作過程において,高抵抗での抵抗は最初に減少した後増大のドリフト現象が現れ,これは操作電流は起こり,相転移材料の成分に影響を与えるためであると,徐々に増大する穴が現れる相転移層において,空洞は,最終的に相変器件消失を招いた。実験では高阻態阻値ドリフト現象と相が一致し,同時に記憶ユニットの疲労寿命を予測するために用いることができる。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 比較試験 ,  疲れ寿命 ,  *相転移 ,  パルス幅 ,  パルス ,  ドリフト ,  *記憶装置 ,  *電流
準シソーラス用語： 相変化材料 ,  パルス電流 ,  疲労特性 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： phase change memory ,  endurance ,  resistance drifting ,  operating current ,  memory fails

分類 (2件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  金属材料  (HC05020S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相転移メモリ ,  疲労特性