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J-GLOBAL ID：201602216082890831   整理番号：16A0282056

電気化学堆積法によるCu₂O/InPヘテロ界面の形成

著者 (3件)： 近江沙也夏 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-P14-4  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電着 ,  *リン化インジウム ,  *酸化銅 ,  *界面 ,  構造 ,  *光起電素子 ,  光電流 ,  走査電子顕微鏡 ,  Auger分光法 ,  *ヘテロ界面
準シソーラス用語： 電気化学堆積 ,  多孔質構造 ,  光電変換素子

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学堆積 ,  Cu2O ,  InP ,  ヘテロ界面