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J-GLOBAL ID：201602216146536735   整理番号：16A0233100

ヘテロ接合原子膜の超精密構造制御合成と光電子デバイス応用

著者 (1件)： 加藤俊顕 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 29-2  ページ： 127-135  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,ヘテロ構造を有する遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の合成とその光電子デバイス応用に向けた基礎研究を行った。高品質大面積二硫化タングステン(WS₂)と二硫化モリブデン(MO₂)の合成手法の開発と,それらが結晶面内で結合した原子状薄膜ヘテロ接合の創製,さらにこの新物質を用いた光電子デバイス開発を試みた。単一TMD構造であるWS₂とMO₂の高品質大面積合成に成功した。単一TMD構造であるWS₂において,新たなフォトルミネッセンス(PL)ピークの観測に世界で初めて成功した。今回のPLピークが結晶粒界に物理吸着した窒素等の分子が中性励起子を捕捉した強局在励起子からの発光であることを実証した。

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  *タングステン化合物 ,  *硫化物 ,  *モリブデン化合物 ,  化学合成 ,  *ヘテロ接合 ,  *単一層 ,  品質 ,  面積 ,  *光ルミネセンス ,  結晶粒界 ,  *励起子 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  硫化 ,  *化学蒸着
準シソーラス用語： ダイカルコゲナイド ,  高品質 ,  大面積 ,  精密合成 ,  局在励起子

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘテロ接合 ,  原子 ,  超精密 ,  構造制御 ,  光電子デバイス ,  応用