文献

J-GLOBAL ID：201602216551627080   整理番号：16A0169009

高k/金属ゲート構造を持つ金属-酸化物-半導体デバイスのためのフラットバンド電圧の物理的起源調査をロールオフ【Powered by NICT】

Physical origin investigation of the flatband voltage roll off for metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure

著者 (3件)： Han Kai (Dep. of Physics and Electronic Sci., Weifang Univ., Weifang) ,  Wang Xiaolei (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices & Integrated Technol. ...) ,  Wang Wenwu (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices & Integrated Technol. ...)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 9  ページ： 94006-1-94006-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k/金属ゲート構造の金属-酸化物-半導体デバイスのためのロールオフフラットバンド電圧(V(FB))の物理的起源はSiO_2中間層の厚さが無視できるほどに十分に薄いので高κ/Si界面でのエネルギーバンド整列の観点から研究した。Vfbロールオフ現象は,高kとSi基板間の直接電子移動との結合に帰属した。このモデルに基づいて定量的に計算したシミュレーション結果は,異なった条件を考慮した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *半導体素子 ,  ケイ素 ,  界面 ,  アラインメント ,  *酸化物
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金属ゲート ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  フラットバンド電圧 ,  物理 ,  起源 ,  調査 ,  ロールオフ