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J-GLOBAL ID：201602218963056138   整理番号：16A0918615

GaAs/GaPコア-シェルナノワイヤのバンド構造と空間キャリア閉込め:コア/シェル組成とサイズの影響

Band structures and spatial carrier confinement in GaAs/GaP core-shell nanowires: Core/shell composition and size effects

著者 (4件)： Yang Xiaodong (College of Optical and Electronic Technology, China Jiliang University, 310018, Hangzhou, China) ,  Shu Haibo (College of Optical and Electronic Technology, China Jiliang University, 310018, Hangzhou, China) ,  Shu Haibo (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, 200083, Shanghai, China) ,  Chen Xiaoshuang (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, 200083, Shanghai, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 682  ページ： 571-578  発行年： 2016年10月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 閃亜鉛鉱とウルツ鉱GaAs/GaPコア-シェルナノワイヤのバンド構造とキャリアの空間閉じ込めに対するコア/シェル組成とサイズの影響を第一原理計算を用いて調べた。その結果,コアシェルナノワイヤー表面のGaPシェル層がGaAsコアの表面状態を抑制して真性半導体特性を示すことを明らかにした。電子構造の結果からバンドギャップ,バンド構造特性およびコア-シェルナノワイヤの空間キャリア閉じ込めがその大きさ,コア/シェル組成,および結晶相に強く依存した。ウルツ鉱コア-シェルナノワイヤの直接バンドギャップと異なり,組成xが増加した閃亜鉛コア-シェルナノワイヤは間接-直接バンドギャップ遷移が存在した。閃亜鉛鉱コア-シェルナノワイヤの直接バンドギャップ特性は大きい組成範囲(0.12<x≦1)で維持された。バンドエッジ状態の空間電荷密度分布はより小さいサイズのGaAs/GaPコア-シェルナノワイヤ(d<5nm)が擬似I型バンド配置を有し,それは正孔キャリアのための強い閉込めを創生するがより大きなサイズのナノワイヤにはI型バンドアライメントが存在して電子と正孔の両方がGaAsコアに局在することを示した。この知見はGaAs/GaPナノワイヤの電子構造の設計と電子,オプトエレクトロニクスデバイスにおけるそれらの用途に関する理論的指針を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *リン化ガリウム ,  *構造 ,  *ナノワイヤ ,  *バンド構造 ,  *閉込め ,  キャリア ,  組成 ,  サイズ効果 ,  真性半導体 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  固相 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  変換 ,  電荷分布 ,  密度 ,  正孔 ,  アラインメント ,  電子 ,  固体素子 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： オプトエレクトロニクスデバイス ,  *キャリア閉込め ,  バンドアライメント ,  バンドエッジ ,  間接バンドギャップ ,  結晶相 ,  直接バンドギャップ ,  電荷密度 ,  電子デバイス

著者キーワード (6件)： Nanowire ,  Core-shell structure ,  Crystal phase ,  Electronic property ,  Band offset ,  Density functional theory

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  非晶質金属の電子構造  (BM02042Z)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaAs ,  GAP ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  バンド構造 ,  キャリア閉込め ,  コア ,  シェル ,  組成 ,  サイズ