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J-GLOBAL ID：201602219579791794   整理番号：16A0890147

線陣DiGe汞致損検出器ユニットの不自然な応答機構研究は,【JST・京大機械翻訳】

Study on Abnormal Response Mechanism of the Damaged Cell on HgCdTe Linear Arrya Detector

著者 (6件)： Yang Haifeng (College of Opto-electronic Science and Engin.,National University of Defense Technology) ,  Wang Rui (College of Opto-electronic Science and Engin.,National University of Defense Technology) ,  Qiu Weicheng (College of Opto-electronic Science and Engin.,National University of Defense Technology) ,  Wang Biyi (Science and Tecnology on Electro-optical Information Security Control Lab) ,  Xu Zhongjie (College of Opto-electronic Science and Engin.,National University of Defense Technology) ,  Cheng Xiang’ai (College of Opto-electronic Science and Engin.,National University of Defense Technology)
資料名： Bandaoti Guangdian  (Bandaoti Guangdian)
巻： 37  号： 2  ページ： 181-185,189  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2379A  ISSN： 1001-5868  CODEN： BAGUE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 1 064NMのピコ秒パルスレーザを用いて型線陣PV HGCDTE検出器の照射,レーザエネルギーの増大に伴い,検出ユニットに異なる程度の損傷が現れ,致損致損ユニットの異常応答現象の,ユニット響区青方偏移を発見した。波長1NMの光に対する応答感度を顕著に増強した。結果:ユニットP型水銀析出現象が現れ、DiGe汞層損傷後,損傷したPN接合材料のHGCDTE組成とキャリア濃度が変化し,PN接合空乏層幅の変化はPN接合を等価抵抗の変化を招き,これはチップの損傷ユニットは不自然な応答出現をもたらす主な要因である。研究では損傷PN接合HGCDTE材料の成分の増大に伴い,HGCDTE材料エネルギー帯禁増大帯幅,検出器響区ブルーシフト現象が現れることを,この波長は1NMでありレーザ損傷ユニットより感度応答の主な原因であると分かった。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 波長 ,  空乏層 ,  ピコ秒 ,  水銀 ,  パルスレーザ ,  PN接合 ,  レーザ損傷 ,  青方偏移 ,  キャリア密度 ,  *検出器
準シソーラス用語： エネルギー帯 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： HgCdTe linear array detector ,  laser ,  abnormal response ,  depletion layer resistance ,  response range blue shift ,  band gap width

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 検出器 ,  応答 ,  研究