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J-GLOBAL ID:201602219582812933   整理番号:16A1065940

TSVのための欠陥に誘起された熱機械的応力に関する調査【Powered by NICT】

Investigation on the defect induced thermal mechanical stress for TSV
著者 (5件):
資料名:
巻: 2016  号: ICEPT  ページ: 713-715  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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貫通シリコンビア(TSV)技術による3D IC集積のための信頼性のある相互接続を実現するための有望なと好ましい方法である。TSVに基づいた3D ICパッケージングは主にビア形成から成り,充填,ウエハ薄化とチップ積層。銅は重要なプロセスである充填とTSV製造工程における挑戦のための最も一般的に使用される材料の一つである。しかし,銅充填プロセス中に導入された欠陥は,いくつかの信頼性問題を誘起する。本論文では,Cu充填TSVの数値モデルは,TSV熱機械的応力に対する欠陥の影響をシミュレートし,分析するために確立した。特に円形,四角形,三角形の形状における欠陥は,TSVモデルで構築した。熱応力分布に及ぼす異なる形状と欠陥の影響を調べた。熱応力に及ぼす欠陥のサイズと位置の影響も調べた。シミュレーション結果は,TSVの熱応力分布は欠陥の異なる形状と位置と異なることを示した。さらに,三角形または正方形欠陥とTSVの最大等価応力は欠陥のサイズの増加と共に増加した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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