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J-GLOBAL ID：201602223826240986   整理番号：16A1183925

明示的分極を用いるrht-MOF NOTT-112での正確なH₂吸着モデリング

Accurate H₂ Sorption Modeling in the rht-MOF NOTT-112 Using Explicit Polarization

著者 (4件)： FRANZ Douglas (Univ. South Florida, Florida, USA) ,  FORREST Katherine A. (Univ. South Florida, Florida, USA) ,  PHAM Tony (Univ. South Florida, Florida, USA) ,  SPACE Brian (Univ. South Florida, Florida, USA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 16  号： 10  ページ： 6024-6032  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 明示的多体分極を組み込んだグランドカノニカルモンテカルロシミュレーションによって,Cu(NO₃)₂/H₆Lの反応で生成するrht-MOF NOtt-112へのH₂吸着について調べた。主要なH₂の吸着サイトは立方八面体ケージ内のCu²⁺イオンで,二次的な吸着サイトが切頂四面体サイトのコーナーであることを明らかにした。H₂吸着等温線(78,88K),等量吸着熱およびH₂-Cu結合距離の計算値は実測値とほぼ一致した。ここでH₆Lは1,3,5-トリス(3′,5′-ジカルボキシル[1,1′-ビフェニル]-4-イル)ベンゼンを表す。

シソーラス用語： *水素 ,  *モデル ,  シミュレーション ,  銅錯体 ,  金属イオン ,  銅化合物 ,  結合部位 ,  吸着等温式 ,  吸着熱 ,  核間距離 ,  測定データ
準シソーラス用語： *配位重合体 ,  *MOF【配位高分子】 ,  モンテカルロシミュレーション ,  吸着サイト ,  *吸着モデル ,  等量吸着熱 ,  銅イオン(2+)

分類 (2件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (1件)： 1,3,5-トリス(3′,5′-ジカルボキシビフェニル-4-イル)ベンゼン

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  MOF ,  H2 ,  吸着 ,  モデリング