BBr_3拡散フロントエミッタとイオン注入裏面電界による低コストスクリーン印刷両面N型Si太陽電池の大量生産【Powered by NICT】

Ryu Kyungsun; Kim Soo; Kim Wooyoung; Shin Myungjun; Cheng Anjen; Shin Yangsik; Whittemore James; Garcia Juan; Qureshi Khalid; Kim Kihyun; Kim Byoungjune

文献

J-GLOBAL ID：201602230156155964 整理番号：16A1286187

BBr_3拡散フロントエミッタとイオン注入裏面電界による低コストスクリーン印刷両面N型Si太陽電池の大量生産【Powered by NICT】

Mass production of low-cost screen-printed bifacial N-type Si solar cells with BBr₃-diffused front emitter and ion-implanted back surface field

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資料名：
巻： 2016 号： PVSC ページ： 2512-2514 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ホウ素(B)エミッタとリン背面電場(BSF)の形成は,低コスト・高効率n型Si太陽電池の大量生産における主要な課題である。工業的には費用効率が高い239cm~2n型Si太陽電池の大量生産について報告した。従来BBr3熱拡散は高濃度Bドープエミッタを形成し,リンB SFはイオン注入とそれに続くアニーリング,ドーパント活性化およびSiO2成長を提供し同時に形成された。メタライゼーションのために,従来のスクリーン印刷法を利用した。工業的大量生産のプロセスフローは~6,000細胞からの20.2%効率を示した。チャンピオン電池は,20.73%の効率を有していた638mV,39.49mA~2のJ_Sc,FF82.28%のVocであった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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