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J-GLOBAL ID：201602232743256929   整理番号：16A0540335

InP_1-xBi_xの構造,光学及び輸送特性間の相互関係:DFTアプローチ

Interrelationship between structural, optical and transport properties of InP_1- Bi _x : DFT approach

著者 (4件)： Khan Saleem Ayaz (New Technologies-Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14 Pilsen, Czech Republic) ,  Azam Sikander (New Technologies-Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14 Pilsen, Czech Republic) ,  Sipr Ondrej (New Technologies-Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14 Pilsen, Czech Republic) ,  Sipr Ondrej (Institute of Physics ASCR, Cukrovarnicka 10, 162 53 Praha 6, Czech Republic)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 41  ページ： 45-53  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,密度汎関数理論を用いて,電子構造,光学及び熱電特性に及ぼすBi濃度の影響を研究した。EngelとVoskoによって提案された一般化勾配近似(GGA)の形(EVGGA)をポテンシャル交換と相関のために用いる。部分状態密度(PDOS)から,Bi濃度を増加させると化合物のバンドギャップが減少することが分る。InP化合物のPDOSから,価電子帯は,主に,Pのp状態から構成され,一方,伝導帯は,Pのs状態の小さな寄与と共に,主に,Inのs状態とPのp状態によって形成されることが分る。一方,InP/InB合金では,Biのp状態がPのp状態と共に,強く価電子帯に貢献することが解明される。計算した電子構造から,他の関連光学定数と共に,周波数依存誘電関数を計算した。温度の関数として,一定の緩和時間を想定し,輸送係数を半古典Boltzmann理論を用いて計算する。Seebeck係数は,Bi濃度の増加に伴って減少する傾向があるが,一方,低温では,性能指数は,Bi濃度の増加と共に減少する。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *リン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *インジウム化合物 ,  構造特性 ,  光学的性質 ,  輸送現象 ,  密度汎関数法 ,  電子構造 ,  状態密度 ,  熱電効果 ,  誘電関数 ,  緩和時間 ,  輸送係数
準シソーラス用語： DFT【関数】

著者キーワード (3件)： Electronic structure ,  Optical properties ,  Transport properties

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光学 ,  輸送特性 ,  相互関係 ,  DFT