高電力IGBTモジュール設計におけるマルチフィジックスシミュレーション【Powered by NICT】

Li Daohui; Packwood Matthew; Qi Fang; Zhou Wei; Wang Yangang; Jones Steve; Dai Xiaoping

文献

J-GLOBAL ID：201602233993287351 整理番号：16A0615613

高電力IGBTモジュール設計におけるマルチフィジックスシミュレーション【Powered by NICT】

Multi-physics simulation in high power IGBT module design

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資料名：
巻： 2016 号： EuroSimE ページ： 1-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高出力絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールはパワーエレクトロニクス工業的応用,電気自動車,牽引,再生可能エネルギー,などで利用されている。高い電力密度,より高い電圧と電流定格,高いスイッチング周波数,高い動作温度とはるかに低い/高い貯蔵温度低コストを有するパワーモジュールは高度にcompeteting市場により駆動される開発傾向がある。190mm×140mmフットプリントを用いた標準3.3kV/1500A単一スイッチIGBTモジュールは電磁(EM)設計,部分放電,モジュールの低寄生インダクタンスを考慮するために,新規の組立工程と材料と共に最新のマルチフィジックスシミュレーションパッケージを用いて再設計した;モジュールの熱的,機械的性能を設計し,最適化した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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パターン認識 , 図形・画像処理一般 , 音響信号処理

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