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J-GLOBAL ID：201602235268260160   整理番号：16A0598510

3-チオフェンエタノール(3TE)及びエチレンジオキシチオフェン(EDOT)の混合物からの酸化的化学蒸着(oCVD)によって生成した機能化可能な導電性薄膜

Functionalizable and electrically conductive thin films formed by oxidative chemical vapor deposition (oCVD) from mixtures of 3-thiopheneethanol (3TE) and ethylene dioxythiophene (EDOT)

著者 (5件)： Goktas Hilal (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA. [e-mail]) ,  Wang Xiaoxue ,  Boscher Nicolas D. ,  Torosian Stephen ,  Gleason Karen K.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 4  号： 16  ページ： 3403-3414  発行年： 2016年04月28日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3-チオフェンエタノール(3TE)及び3,4-エチレンジオキシチオフェン(EDOT)の混合物を酸化的化学蒸着(oCVD)の反応物として用いた。(3:1),(3:2),(3:3),(2:3),及び(1:3)のモノマー(3TE:EDOT)供給比を用いてヒドロキシルペンダント基の密度を変えることにより導電性高分子薄膜を得た。3TE及びEDOT単位の析出膜への組込は高分解能質量分析,紫外可視近赤外(UV-vis-NIR)分光法,及びFourier変換赤外(FTIR)分光法を組合せて確認した。これにより導電性-OH官能化薄膜が生成した。二量体の初期形成の理論的解析を,密度汎関数理論(DFT)を用いて研究した。計算から3TE及びEDOTの反応は2つの3TEモノマーの組合せより速度論的に有利である。3TE重合膜のUV-vis-NIRスペクトルの425nmに認められたπ-π^*遷移はEDOT組込みを増すことにより赤方偏移する。この遷移は(1:3)モノマー供給比を用いて調製した膜では523nmに認められた。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *ヒドロキシ化合物 ,  *酸素複素環化合物 ,  *混合物 ,  *化学蒸着 ,  *導電性 ,  質量分析 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  近赤外スペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  密度汎関数法 ,  赤方偏移 ,  *高分子薄膜 ,  ヒドロキシ基
準シソーラス用語： ヒドロキシル基 ,  高分解能質量分析 ,  近赤外吸収スペクトル ,  FTIRスペクトル ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (2件)： 3-チオフェンエタノール ,  3,4-エチレンジオキシチオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： 3-チオフェンエタノール ,  EDOT ,  混合物 ,  酸化 ,  化学蒸着 ,  導電性薄膜