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J-GLOBAL ID：201602235587906074   整理番号：16A0973844

低照度ダブルパルスビームを用いたワイドバンドギャップ半導体のナノ表面励起加工に関する研究

著者 (9件)： 林照剛 (九大 大学院) ,  松永啓伍 (九大 大学院) ,  黒河周平 (九大 大学院) ,  横尾英昭 (九大 大学院) ,  松川洋二 (九大 大学院) ,  長谷川登 (量子科学研究機構) ,  錦野将元 (量子科学研究機構) ,  乙部智仁 (量子科学研究機構) ,  熊田高之 (日本原子力研究開発機構)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2016  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.D77  発行年： 2016年08月20日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者らは,フェムト秒レーザーによる光表面励起効果を利用し,ワイドバンドギャップ半導体表面を低照度ビームで加工する,低照度ダブルパルスビームによる表面励起加工技術を提案している。本研究では,ワイドバンドギャップ半導体の損傷閾値以下の照度のレーザーで,半導体表面のナノ加工を行った結果について報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *照度 ,  *パルス法 ,  *ビーム ,  *化合物半導体 ,  *ナノメータ加工 ,  *励起 ,  フェムト秒レーザ ,  表面加工 ,  閾値 ,  表面
準シソーラス用語： *ダブルパルス法 ,  *ワイドバンドギャップ半導体 ,  *表面励起 ,  レーザ損傷閾値 ,  半導体表面

分類 (2件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 照度 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  表面励起 ,  研究