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J-GLOBAL ID：201602236455059854   整理番号：16A0590418

CuメタライゼーションにおけるCu(V)自己形成バリアーの評価

Evaluation of Cu(V) self-forming barrier for Cu metallization

著者 (3件)： Cao Fei (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, 150001 Harbin, China) ,  Wu Gao-hui (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, 150001 Harbin, China) ,  Jiang Long-tao (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, 150001 Harbin, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 657  ページ： 483-486  発行年： 2016年02月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(V)合金フィルムの性質を調べ銅メタライゼーションにおける自己形成拡散バリアーとしての可能性を評価した。Cu(V)合金フィルムをSiO₂/Si基板上にマグネトロンスパッタリングにより蒸着した。Cu(V)/SiO₂/Si系を続けて種々の温度で焼鈍し,4点プローブ測定(FPP),X線回折(XRD),X線光電子分光法(XPS)と透過電子顕微鏡(TEM)で解析した。500°C焼鈍後Cu(V)フィルムの抵抗は3.1μΩcmへ減少し,抵抗に明瞭な増加はなかった。XRDによればCu合金フィルムは(111)優先結晶方位を有し500°C焼鈍後でもCuとSiに対応するピークは認められなかった。TEMによれば400°C焼鈍サンプルでCu合金とSiO₂/Si基板間界面に厚さ約8nmの自己形成薄膜が認められた。XPSの結果では400°Cと500°C焼鈍後V原子がCu(V)フィルム表面とCu(V)とSiO₂/Siの界面に認められた。自己形成薄膜の生成は界面でのVの分離によるものと考えられる。界面でのCuとSi濃度の急激な減少はCu(V)とSiO₂/Si間の相互拡散欠如を示している。Cuフィルムへの少量V添加は純Cu接触系と比べてバリアー性能と熱安定性を改善した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅合金 ,  *拡散障壁 ,  金属薄膜 ,  バナジウム含有合金 ,  ウエハ【IC】 ,  二酸化ケイ素 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  焼なまし ,  電気抵抗 ,  界面 ,  相互拡散 ,  熱安定性 ,  濃度分布 ,  温度依存性 ,  *メタライゼーション ,  ケイ素
準シソーラス用語： シリコン基板

著者キーワード (5件)： Copper ,  Alloy ,  Diffusion barrier ,  Self-forming ,  Annealing

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  メタライゼーション ,  自己形成 ,  バリアー ,  評価