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J-GLOBAL ID：201602236602474778   整理番号：16A0880097

室温での磁束駆動memtranstorの実現【Powered by NICT】

Realization of a flux-driven memtranstor at room temperature

著者 (4件)： Shen Shipeng (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Shang Dashan (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Chai Yisheng (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Sun Young (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 2  ページ： 027703-1-027703-5  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： memtranstorはメムリスタ,メムキャパシタ,およびメムインダクタに加えて第四基本回路memelementとして提案されている。電気分極が外部磁場により調整可能な,磁気電気ヘキサフェライト(Ba0.5Sr1.5Co2Fe11AlO22)で作られたデバイスにおける室温でmemtranstor挙動を実証した。このデバイスは蝶型ヒステリシスループをもつ非線形qj関係を示し,予想されるmemtranstor挙動と一致した。memelementsのような,memtranstorはより進行した回路機能の開発に大きな可能性を持っている。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気 ,  分極 ,  外部磁場 ,  *磁束
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  ヘキサフェライト ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 基本回路要素 ,  磁気電気効果 ,  マルチフェロイック ,  memtranstor ,  メモリスタ

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 室温 ,  磁束