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J-GLOBAL ID：201602236650508258   整理番号：16A1404457

LDPE特性の誘電設計:二重コアSi/SiO_2とカーボンブラックの利用【Powered by NICT】

Dielectric design of LDPE properties: With the help of double-core Si/SiO₂ and Carbon Black

著者 (11件)： Frechette M.F. (Hydro-Que ́bec’s research institute (IREQ), Varennes, Qc, Canada) ,  Veillette R. (Hydro-Que ́bec’s research institute (IREQ), Varennes, Qc, Canada) ,  Trudeau M. (Hydro-Que ́bec’s research institute (IREQ), Varennes, Qc, Canada) ,  Pirondelli A. (University of Bologna, Italy) ,  Fabiani D. (University of Bologna, Italy) ,  Anh T. Tran (Electric Power University, Hanoi, Vietnam) ,  Ghafarizadeh B. (E ́cole de techonogie, Montre ́al, Qc, Canada) ,  David E. (E ́cole de techonogie, Montre ́al, Qc, Canada) ,  El-Khoury D. (University Montpellier 2, France) ,  Castellon J. (University Montpellier 2, France) ,  Arinero R. (University Montpellier 2, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CEIDP  ページ： 52-57  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低密度ポリエチレン(LDPE)を,同時に2種類の添加剤を用いて改質した。各添加物は,特定の属性を有していた。シリコンを使用した。EELSとTEMを用いて,不動態化したバージョンは,非晶質シリカ(SiO_2)のナノメータ層に囲まれたSiの二重コアを構成することを最初の証明された。Siは電荷移動(SiO_2による)を制御する障壁を示す大きくなった誘電体記憶容量の可能性をもたらした。ケイ素はカーボンブラック(CB)と組み合わせて使用した,導電性状態へintempestive変換が,いくつかの条件に,拡大した誘電体記憶を生成した。低電圧では,LDPE含有5wt%CBと3%または0.25%Siは絶縁材料であった。2kV/s上昇と共に破壊条件中に,0.25wt%CBと3wt%Siのみを含む複合材料は,絶縁条件を示した。これらの結果は,動的条件下での材料システム評価を実施することの重要性に注目した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶容量 ,  *ケイ素 ,  *低密度ポリエチレン ,  導電性 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  システム評価 ,  電荷移動 ,  *カーボンブラック ,  不動態化 ,  誘電体 ,  添加剤 ,  絶縁材料 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 低電圧 ,  ナノメータ ,  非晶質シリカ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (5件)： LDPE ,  設計 ,  コア ,  Si ,  カーボンブラック