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J-GLOBAL ID：201602236677986932   整理番号：16A1240723

RHイオンドープSRTIO_3結晶の欠陥形成エネルギーと電子構造に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Studies on the Formation Energies and Electronic Structures of Rh Doped SrTiO_3

著者 (3件)： Yan Feinan (College of Science,University of Shanghai for Science and Technology) ,  Yang Chenxing (College of Science,University of Shanghai for Science and Technology) ,  Chen Jun (College of Science,University of Shanghai for Science and Technology)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 1  ページ： 279-284  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 完全SRTIO_3結晶の電子構造とRHイオンドープSRTIO_3結晶の欠陥形成エネルギーと電子構造を,CRYSTAL-09パッケージを用いてシミュレーションした。その結果,RHイオンは結晶中でSRサイトを優先的に占有することが判明した。RHドープSRTIO_3結晶は禁止帯に4D不純物準位が出現し、バンドギャップの減少を招き、可視光の光触媒活性が向上した。RHドープSRTIO_3結晶の高いH_2収率の理由を説明した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不純物準位 ,  *電子構造 ,  可視光 ,  *ドーピング ,  *結晶 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  *欠陥形成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Rh doped ,  SrTiO_3 crystal ,  defect formation energy ,  electronic structure

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Rh ,  イオン ,  ドープ ,  結晶 ,  欠陥形成 ,  エネルギー ,  電子構造 ,  研究