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J-GLOBAL ID：201602236964816796   整理番号：16A0769579

モバイル応用のための多層微細ピッチRDLを用いた高密度ファンウエハレベルパッケージ(HD FOWLP)をの開発【Powered by NICT】

Development of High Density Fan Out Wafer Level Package (HD FOWLP) with Multi-layer Fine Pitch RDL for Mobile Applications

著者 (8件)： Rao Vempati Srinivasa ,  Chong Chai Tai ,  Ho David ,  Zhi Ding Mian ,  Choong Chong Ser ,  PS Sharon Lim ,  Ismael Daniel ,  Liang Ye Yong
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECTC  ページ： 1522-1529  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,ファンアウトウエハレベルパッケージング(FOWLP)は消費者電子製品の増大する要求に応えるための有望な技術として出現してきた。しかし,従来FOWLP技術は金型シフト,反りとRDLスケーリング問題による単一チップと低小型パッケージに限定されミッドレンジ入力/出力(I/O)数である。本論文では,著者らはRDLスケーリングを可能にし,従来のFOWLPのダイシフト,金型突出と反り課題を克服し,マルチチップと高I/O数パッケージ応用のためのFOWLP技術を拡張する新しいRDL最初FOWLPアプローチを提示した。RDL最初FOWLPプロセス統合流を実証し,2μm/2μmと~2400パッケージのI/O LW/LSのファインピッチRDL3層を持つ20×20mm2の大きなマルチチップパッケージの試験試料を作製した。二による金型相互接続(TMI)製作法(トールCuピラーと垂直Cuワイヤ)はパッケージオンパッケージ(PoP)への応用のためのこのプラットフォームで評価した。キャリアウエハで成形チップ-ツー-ウエハ(C2W)の裏面RDLプロセスはPoP応用に関して実証した。レーザ剥離と犠牲放出層材料洗浄プロセスを確立し,試験試料を作製するための統合流に使用することに成功した。組立プロセスを最適化し,試験ボードに大きなマルチチップRDLファーストFOWLPパッケージおよびPoPアセンブリの実証に成功した。大マルチチップFOWLPパッケージ試料は水分感受性試験レベル1とレベル3(MST L1とMST L3)とボードレベル落下試験の30液滴をJEDEC構成要素レベル試験を通過し,その結果を提示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 感受性試験 ,  *多層 ,  組立工程 ,  落下試験 ,  金属線 ,  最適化 ,  液滴 ,  消費者 ,  水分 ,  相互接続 ,  *携帯電話 ,  POP【パッケージ】 ,  プロセス統合 ,  *高密度 ,  改変
準シソーラス用語： 電子製品 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音響信号処理  (BB03050C) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： モバイル ,  応用 ,  多層 ,  微細ピッチ ,  高密度 ,  ファン ,  ウエハレベルパッケージ ,  HD ,  開発