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J-GLOBAL ID：201602237207712490   整理番号：16A1373841

2レベルの相互接続を備えた4H-SiC JFET ICの500°Cでの長期間の実証

Prolonged 500 °C Demonstration of 4H-SiC JFET ICs With Two-Level Interconnect

著者 (6件)： Spry David J. (John H. Glenn Res. Center, Nat. Aeronaut. & Space Adm., Cleveland, OH, USA) ,  Neudeck Philip G. (John H. Glenn Res. Center, Nat. Aeronaut. & Space Adm., Cleveland, OH, USA) ,  Liangyu Chen (Ohio Aerosp. Inst., Cleveland, OH, USA) ,  Lukco Dorothy (Vantage Partners LLC, Brook Park, OH, USA) ,  Chang Carl W. (Vantage Partners LLC, Brook Park, OH, USA) ,  Beheim Glenn M. (John H. Glenn Res. Center, Nat. Aeronaut. & Space Adm., Cleveland, OH, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 5  ページ： 625-628  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,大気中500°Cで電気的動作を安定して1000時間以上達成する,2レベルの相互接続を備えた集積回路(IC)の製造と試験を報告した。このICは,ハフニウムオーム接触とTaSi₂相互接続および1μmスケールの垂直トポロジー上のSiO₂とSi₃N₄誘電体層,を統合した4H-SiC接合電界効果トランジスタ技術に基づいていた。初期バーンイン後,500°Cの動作テストで1000時間以上,重要な回路パラメータは15%以内で安定していた。これらの結果は,燃焼エンジン,惑星,深井戸の掘削,他の過酷な環境での応用におけるセンシングと制御のための増加した機能的能力を備えた,長期間の500°C耐性のICを実現する技術の基礎を前進させる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *接合形FET ,  *集積回路 ,  *環境 ,  相互接続 ,  大気中 ,  利用
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *IC【集積回路】 ,  *JFET ,  応用 ,  *高温環境

著者キーワード (3件)： integrated circuit reliability ,  JFET integrated circuits ,  Integrated circuit interconnections

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相互接続 ,  4H-SiC ,  JFET ,  IC ,  実証