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J-GLOBAL ID:201602237313141030   整理番号:16A0857260

780NMバンドの低充填因子は半導体レーザアレイのビーム品質を研究【JST・京大機械翻訳】

Optical Quality of 780 nm Low Filling Factor Diode Laser Array
著者 (8件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 27-29,44  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2379A  ISSN: 1001-5868  CODEN: BAGUE5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高出力高ビーム品質レーザの設計と出力,そして1つの780NMバンド5発光ユニットデバイスアレイを調製した。獲得のために,その導波路は10ΜM幅窄条形を採用した,各発光ユニットの中心間距離は100ΜMであり,充填因子はわずか10%である。準連続注入電流1.2Aまで増加すると2.5 Aの条件下で,このデバイスの出力ビームの横方向光学参量積0.666MM・MRADが0.782MM・MRADまで増加した。注入電流は2.5Aであるとき,このデバイスは単辺准連続506 MWの高ビーム品質のレーザ出力を実現した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (3件):
分類 (1件):
分類
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半導体レーザ 
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