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J-GLOBAL ID：201602237385475134   整理番号：16A1030344

トンネルFETのためのInAs/GaSbヘテロ接合におけるドーピングの研究【Powered by NICT】

Investigation of doping in InAs/GaSb hetero-junctions for tunnel-FETs

著者 (8件)： Cutaia Davide (IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Schmid Heinz (IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Borg Mattias (IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Moselund Kirsten (IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Bologna Nicolas (Empa, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, 8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Olziersky Antonis (IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland) ,  Ionescu Adrian (Ecole Polytechnique Federal de Lausanne, EPFL, NanoLab, 1015, Switzerland) ,  Riel Heike (IBM Research - Zurich, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SNW  ページ： 152-153  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaSbを基本とするp-nとp-i-nトンネルダイオードのバンド端急峻性に及ぼすドーピングの影響について報告する。良く定義された鋭いバンド端の理解と製造であるトンネルFET動作に必須である。InAs/GaSbナノワイヤ接合をテンプレート支援選択エピタクシー(TASE)を用いて,シリコンオンインシュレータ(SOI)基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)により選択的に成長させた[1]。接合は急峻な界面を示す走査型透過電子顕微鏡(STEM)により分析した。電流-電圧測定と導電率の勾配(S)[2]を種々の温度で行った。トンネルダイオードの(S)は,接合でのキャリアのトラッピングとデトラッピングに起因する温度依存性を示すことが,重要なことは,p-n接合の高ドーピングはp-i-nダイオードと比較して急な勾配をもたらすことを見出した。この知見はドーピング不純物からの電子状態はS分解でマイナーな役割を果たしていることを示唆した。ヘテロ界面での独立したトラップをドーピングの存在はトンネルFETの熱デバイス動作のための連続研究を必要とする勾配を>60mV/decとなった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  PN接合 ,  界面 ,  *アンチモン化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  *ヘテロ接合 ,  トンネルダイオード ,  温度依存性 ,  MOCVD ,  *ヒ化インジウム ,  電子状態
準シソーラス用語： ヘテロ界面 ,  トラッピング ,  バンド端 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音響信号処理  (BB03050C) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： トンネルFET ,  InAs ,  GaSb ,  ヘテロ接合 ,  ドーピング ,  研究