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J-GLOBAL ID：201602237619296492   整理番号：16A0717009

α-U(001)面上のH₂分子とH原子の吸着の密度汎関数研究

Density functional study of H₂ molecule and H atom adsorption on α-U(001) surface

著者 (4件)： Huang Shanqisong (Key Laboratory of Soft Chemistry and Functional Materials of MOE, School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zeng Xiu-Lin (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Huainan Normal University, Huainan, 232001, China) ,  Zhao Feng-Qi (Science and Technology on Combustion and Explosion Laboratory, Xi’an Modern Chemistry Research Institute, Xi’an, 710065, China) ,  Ju Xue-Hai (Key Laboratory of Soft Chemistry and Functional Materials of MOE, School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 48  号： 6  ページ： 328-333  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-U(001)面上のH₂分子とH原子の吸着を研究するために,密度汎関数法を採用した。α-U(001)面上のH₂とH原子の吸着に関して,4つの初期部位[上部(A),三角形の中心(B),長い橋(C),および短い橋(D)]が存在する。H₂-U(001)の立体配座の上部部位上のE_ads(吸着エネルギー)値は約-0.666eVであり,H₂分子は長くなっていたが,H原子には分解されていなかった。他の3つの部位では,E_ads値は約-1.521eVである。長い橋部位は,H₂の分解に関して最も反応性の高い部位である。H-U(001)の立体配座に関して,E_adsは約-2.904eVである。上部部位と短い橋部位は,H原子がα-U(001)面上で反応するための最も反応性の高い部位である。本研究は,様々な反応部位が水素化プロセスに関して相違する効果を果たすことを明らかにした。H₂-U(001)とH-U(001)の立体配座の状態の幾何学的変形,拡散経路,および部分的な密度も分析したCopyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *水素 ,  *吸着 ,  分解 ,  原子 ,  *ウラン ,  密度汎関数法 ,  立体配座 ,  結晶面 ,  吸着エネルギー ,  遷移状態 ,  状態密度 ,  表面構造
準シソーラス用語： DFT【関数】 ,  水素原子

著者キーワード (5件)： H2 adsorption and decomposition ,  H atom adsorption ,  α-U(001) surface ,  density functional study ,  hybridization

分類 (2件)： 金属の表面構造  (BK15020P) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： H2 ,  分子 ,  H原子 ,  吸着 ,  密度汎関数 ,  研究