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J-GLOBAL ID：201602237620395757   整理番号：16A1136129

エピタキシャル二次元SnSe₂/二次元WSe₂ van der Waalsヘテロ構造

Epitaxial 2D SnSe₂/ 2D WSe₂ van der Waals Heterostructures

著者 (11件)： ARETOULI Kleopatra Emmanouil (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC) ,  ARETOULI Kleopatra Emmanouil (Univ. Athens, Athens, GRC) ,  TSOUTSOU Dimitra (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC) ,  TSIPAS Polychronis (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC) ,  MARQUEZ-VELASCO Jose (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC) ,  MARQUEZ-VELASCO Jose (National Technical Univ. Athens, Athens, GRC) ,  GIAMINI Sigiava Aminalragia (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC) ,  GIAMINI Sigiava Aminalragia (Univ. Athens, Athens, GRC) ,  KELAIDIS Nicolaos (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC) ,  PSYCHARIS Vassilis (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC) ,  DIMOULAS Athanasios (National Center for Scientific Res. “DEMOKRITOS”, Athens, GRC)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 8  号： 35  ページ： 23222-23229  発行年： 2016年09月07日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果デバイス(TFET)などの光電子デバイス用の2D半導体材料として,van der Waalsヘテロ構造に着目した。このヘテロ構造の性能を向上するため,半導体薄膜成長法について検討した。半導体薄膜成長にはエピタキシャル成長法を利用した。AlN(0001)/Si(111)基板上に,分子線エピタキシー法で,二次元SnSe₂/二次元WSe₂のヘテロ構造を得た。Bi₂Se₃バッファ層を用いて,ヘテロ構造の品質を改善した。0.8eVの価電子帯オフセットを調整し,WSe₂の価電子帯とSnSe₂の伝導帯が整列するようにした。これによりギャップレスのTFETを実現できることが分かった。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  二次元 ,  *スズ化合物 ,  セレン化物 ,  *タングステン化合物 ,  van der Waals力 ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  エネルギーギャップ ,  MBE成長 ,  固体素子 ,  バッファ層 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *セレン化スズ ,  セレン化タングステン ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  VAN ,  ヘテロ構造