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J-GLOBAL ID：201602238951759273   整理番号：16A0650764

Co₂₀Fe₆₀B₂₀/MgO膜の垂直磁気異方性に及ぼす下地層の影響【Powered by NICT】

Underlayer Effect on Perpendicular Magnetic Anisotropy in Co₂₀Fe₆₀B₂₀/MgO Films

著者 (4件)： Chen P. J. (, National Institute of Standards of Technology, Gaithersburg, MD, USA) ,  Iunin Y. L. (, National Institute of Standards of Technology, Gaithersburg, MD, USA) ,  Cheng S. F. (, Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Shull R. D. (, National Institute of Standards of Technology, Gaithersburg, MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 52  号： 7  ページ： ROMBUNNO.4400504.1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TaCoFeBMgOを有する垂直磁気トンネル接合は近年広く研究されている。しかし,CoFeB垂直磁気異方性(PMA)の形成に及ぼす下地層の効果はまだ良く理解されていない。,下地層Co₂₀Fe₆₀B₂₀MgOスタックの下地層としての周期律表のカラムIVA,VA,VIA,VIIAおよびVIIIAにより達成された広範囲の元素(Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Pd,Ag,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Au)の系統的使用の結果を報告した。我々の目標は,おそらくCoFeBのPMAを作ることができることをより多くの要素を調査し,それによってこれらの下地層を可能にするPMAを増強または生成する機構を調べた。4d電子(Zr,Nb,Mo,Pd)と5d電子(Hf,Ta,W,Re,Ir,およびPt)両方の外殻を有する下地層元素はMgOキャップCo₂₀Fe₆₀B₂₀におけるPMAの開発をもたらすことを見出した。下地層の4Dまたは5D電子との界面でFe又はCo(Co₂₀Fe₆₀B₂₀)の3d電子間のハイブリダイゼーションは,PMA開発の原因であると考えられている。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *鉄 ,  分子ハイブリダイゼーション ,  *酸化マグネシウム ,  *垂直磁気異方性
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  *下地層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (3件)： MgO ,  垂直磁気異方性 ,  下地層