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J-GLOBAL ID：201602238993511915   整理番号：16A0798613

大ギャップ量子スピンHall絶縁体の予測:ダイアモンド様GaBi二重層【Powered by NICT】

Prediction of a large-gap quantum-spin-Hall insulator: Diamond-like GaBi bilayer

著者 (3件)： Wang Aizhu (School of Physics, Shandong University) ,  Du Aijun (School of Chemistry, Physics and Mechanical Engineering, Queensland University of Technology) ,  Zhao Mingwen (School of Physics, Shandong University)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 8  号： 12  ページ： 3823-3829  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子スピンHall(QSH)状態を実験的にもかかわらず,バルク材料の狭いバンドギャップのために,低い臨界温度で達成された。二次元トポロジカル絶縁体は新規なトポロジー的応用を実現するためには非常に重要である。密度汎関数理論(DFT)を用いて,水素化GaBi二分子層(HGaBi)を室温でQSH状態を達成するための実行可能なである,最新のハイブリッド汎関数法に基づいて,0.320eVの大きな非自明なバンドギャップを有する安定なトポロジカル絶縁体を形成することを示した。HGaBi格子の非自明なトポロジー特性もナノリボン構造のギャップレスエッジ状態の出現から確認できた。著者らの結果は,重要なナノエレクトロニクスデバイス応用のために使用可能な非自明なトポロジカル状態をホストするための多用途のプラットフォームを提供する。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 臨界温度 ,  密度汎関数法 ,  二次元 ,  水素化 ,  二分子層 ,  バンドギャップ ,  位相幾何学 ,  *ダイヤモンド ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  ナノリボン ,  ハイブリッド汎関数 ,  *量子スピン ,  *二重層 ,  *量子スピンHall絶縁体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トポロジカル絶縁体 ,  第一原理計算 ,  2次元立方晶ダイヤモンド状格子 ,  Rashbaスピン分裂 ,  バンド反転

分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ギャップ ,  量子スピンHall絶縁体 ,  予測 ,  ダイアモンド ,  二重層