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J-GLOBAL ID：201602240253898824   整理番号：16A0638901

制御層シリコンの自己制限蒸着によるIn0.53Ga0.47As(001)-(2×4)とSi0.5Ge0.5(110)表面不動態化【Powered by NICT】

In0.53Ga0.47As(001)-(2x4) and Si0.5Ge0.5(110) surface passivation by self-limiting deposition of silicon containing control layers

著者 (9件)： Edmonds M. (Materials Science and Engineering Department, University of California San Diego) ,  Kent T. J (Materials Science and Engineering Department, University of California San Diego) ,  Wolf S. (Materials Science and Engineering Department, University of California San Diego) ,  Sardashti K. (Materials Science and Engineering Department, University of California San Diego) ,  Chang M. (Applied Materials, Sunnyvale, California) ,  Kachian J. (Applied Materials, Sunnyvale, California) ,  Droopad R. (Ingram School of Engineering, Texas State University) ,  Chagarov E. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of California San Diego) ,  Kummel A. C. (Materials Science and Engineering Department, University of California San Diego)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は,トランジスタ性能をさらに増加させるSiGeおよびInGaAsのような化合物半導体の雇用へのシリコンとゲルマニウムの専用から発散した。普遍的制御単分子層(UCM)は,複数材料と結晶面上に堆積したALDまたは自己制限CVDできればより良いキャリア閉込めと高い移動度を可能にするチャネル材料のより広い範囲を用いることができた。シリコンはInGa1xAs,InxGa1-xSb,InxGa1-xN,SiGeおよびGeの全ての結晶面シリコン基板ダングリングボンドの移動を可能にする強く結合し,これは続いて原子状水素による不動態化である可能性がある。続いて,SiNx拡散障壁と表面保護層を生成するためにUCM終端Si-OH層,またはN2H4(g)のような窒化剤を生成するために表面はHOOH(g)のような酸化剤で官能化したかもしれない。InGaAs(001)-(2×4)上の二の分離した自己停止CVDプロセスによる飽和Si-Hx,とSi-OHシード層を析出させ,ALDプロセスによるSi0.5Ge0.5(110)上のSiNxシード層を堆積することに焦点を当てた。STS/STMと組み合わせたXPS InGaAs(001)-(2×4)とSi0.5Ge0.5(110)表面上の制御層を含むこれらのシリコンの電気的および表面特性を特性化した。Cmax,周波数分散,及び中間ギャップトラップ状態に及ぼす影響を決定するためにMOSCAPデバイス作製を自己制限CVDにより堆積したSi-Hx不動態化制御層を持たないn型InGaAs(001)基板上に行った。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単分子層 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  表面性状 ,  *不動態化 ,  結晶面 ,  MOSFET ,  官能化 ,  ダングリングボンド ,  化合物半導体 ,  拡散障壁 ,  *ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  シリコンウエハ ,  *改変
準シソーラス用語： シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 制御層 ,  シリコン ,  自己 ,  制限 ,  蒸着 ,  表面不動態化