文献

J-GLOBAL ID：201602240271102461   整理番号：16A0993494

高効率(~21%)n-タイプシリコン太陽電池用様々なボロンエミッター技術プロセス開発と比較

Process development and comparison of various boron emitter technologies for high-efficiency (21%) n-type silicon solar cells

著者 (5件)： Ryu Kyungsun (University Center of Excellence for Photovoltaics Research and Education, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Cho Eunhwan (University Center of Excellence for Photovoltaics Research and Education, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Rohatgi Ajeet (University Center of Excellence for Photovoltaics Research and Education, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Rohatgi Ajeet (Suniva Inc., 5765 Peachtree Industrial Blvd., Norcross, GA, 30092, USA) ,  Ok Young-Woo (University Center of Excellence for Photovoltaics Research and Education, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 24  号： 8  ページ： 1109-1115  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は初めて市販レディーのn-タイプパシベートされたミッタ,背面はスピンオンコーティング,スクリーン印刷,イオンインプランテーションと大気圧CVDで形成されたボロンエミッタを持つ全面拡散ソーラーセルの比較を示す。全てのボロンエミッタ技術は殆ど同じ効率~20%を示す。解析モデリングで計算した最適な全面グリッド設計(5ブスバーと100グリッドライン)は直列抵抗の減少によりセル効率のベースラインを20.5%まで持ち上げた。5ブスバーと共に,背面ポイントコンタクトの絶縁物のレーザーアブレーションとAlの物理的な気相デポジッションが0.4%の効率改善に繋がった。結果として,20.9%効率のn-タイプパシベートされたエミッタ,背面は全面拡散されたセルが本稿で実現された。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  エミッタ【半導体】 ,  *ホウ素 ,  *エネルギー変換効率 ,  *不純物拡散
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池

著者キーワード (6件)： boron emitter technologies ,  n-type PERT solar cell ,  implantation ,  spin-on boron ,  screen printing boron paste ,  APCVD boron source

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率 ,  タイプ ,  シリコン太陽電池 ,  プロセス ,  開発