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J-GLOBAL ID:201602240519687316   整理番号:16A1125318

P_3PC_(61)BM高分子太陽電池における正孔輸送層としての2の増強効果を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Lead Iodide as a New Type of Hole Transport Layer for the High Performance of P_3HT:PC_(61)BM-Based Solar Cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 1307-1313  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0391A  ISSN: 1000-6818  CODEN: WHXUEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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新しい_2/P_3HTを調製するために,新しいアノード界面バッファ材料PBI_2を開発した。PC_(61)BM(酸化インジウムスズ導電性ガラス/ヨウ素化鉛/ポリ化合物:フラーレン誘導体/アルミニウム)のデバイスを,スピンコーティングと蒸着によって調製し,そして,高分子太陽電池(プロトタイプ_3HT)に及ぼすPBI_2の影響を研究した。PC_(61)BMにおける効果を調べた。異なる2濃度,アニール温度,アニール時間は,PBI_2薄膜の品質に影響を及ぼした。これらの結果は,高品質のPBI_2薄膜が良好な光電変換効率をもたらすことを示した。PBI_2薄膜の光透過性,結晶性,および表面形態は,薄膜の品質を記述するのに用いることができる。最良の性能をもたらす2薄膜を紫外-可視スペクトル,X線粉末回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM),走査型電子顕微鏡(SEM)などでキャラクタライズした。実験結果により、太陽電池デバイスの効率はPBI_2濃度に比較的敏感であり、最適化の条件は、スピンコート濃度が3MGであることが分かった。電池の開路電圧(V_(OC))は0.45Vに達し,短絡電流密度(J_(SC))は7.9MA’S(-1)であった。CM(-2),充填因子(FF)は0.46であり,界面バッファなしのデバイスと比較して,光電変換効率(PCE)は0.85%から1.64%に増加した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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